BU323Z. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BU323Z
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2500
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BU323Z
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BU323Z даташит
bu323z.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU323Z DESCRIPTION With TO-220 packaging Very high DC current gain Monolithic darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS AC-DC motor control Electronic ignition Alternator regu
bu323zre.pdf
Order this document MOTOROLA by BU323Z/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BU323Z Advance Information AUTOPROTECTED NPN Silicon Power Darlington DARLINGTON 10 AMPERES High Voltage Autoprotected 360 450 VOLTS CLAMP 150 WATTS The BU323Z is a planar, monolithic, high voltage power Darlington with a built in active zener clamping circuit. This device is specifically designed for uncl
bu323zrev8.pdf
Order this document MOTOROLA by BU323Z/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BU323Z Advance Information AUTOPROTECTED NPN Silicon Power Darlington DARLINGTON 10 AMPERES High Voltage Autoprotected 360 450 VOLTS CLAMP 150 WATTS The BU323Z is a planar, monolithic, high voltage power Darlington with a built in active zener clamping circuit. This device is specifically designed for uncl
bu323are.pdf
Order this document MOTOROLA by BU323A/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BU323A NPN Silicon Power Darlington 16 AMPERE PEAK Transistor POWER TRANSISTOR DARLINGTON NPN The BU323A is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition, SILICON switching regulator and motor control applications. 400 VOLTS COLLECTOR VCE Sat Specified at 40_C = 2.0 V Max. at IC = 6
Другие транзисторы: BU311, BU312, BU322, BU322A, BU323, BU323A, BU323AP, BU323P, 2SC2383, BU325, BU326, BU326A, BU326A-4, BU326A-5, BU326A-6, BU326A-7, BU326A-8
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf




