BU407F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU407F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: ISO66

 Аналоги (замена) для BU407F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU407F даташит

 ..1. Size:36K  st
bu407f.pdfpdf_icon

BU407F

BU407FI SILICON NPN TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR TV DESCRIPTION The BU407FI is a silicon epitaxial planar NPN 3 transistors in ISOWATT220 plastic package. 2 1 It is a fast switching, high voltage device for use in horizontal deflection output stages of medium ISOWATT220 and small screens MTV receivers w

 ..2. Size:141K  inchange semiconductor
bu406f bu407f.pdfpdf_icon

BU407F

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BU406F/407F DESCRIPTION High Voltage Fast Switching Speed- toff= 0.75 s (Max) Low Saturation Voltage- VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 5A APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators and motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) S

 0.1. Size:211K  inchange semiconductor
bu406fi bu407fi.pdfpdf_icon

BU407F

isc Silicon NPN Power Transistors BU406FI/407FI DESCRIPTION High Voltage Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators and motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

 9.1. Size:100K  motorola
bu406 bu407.pdfpdf_icon

BU407F

Order this document MOTOROLA by BU406/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BU406 BU407 NPN Power Transistors These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV s and CRT s. 7 AMPERES NPN SILICON High Voltage VCEV = 330 or 400 V POWER TRANSISTORS Fast Switching Speed tf = 750 ns (max)

Другие транзисторы: BU326S, BU361, BU406, BU406D, BU406F, BU406H, BU407, BU407D, BC547, BU407FI, BU407H, BU408, BU408D, BU409, BU410, BU411, BU412