BU426. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU426

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 375 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BU426

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU426 даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 bu426.pdf pdf_icon

BU426

isc Silicon NPN Power Transistor BU426 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 375V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switch-mode CTV supply systems applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Volta

 0.1. Size:106K  bourns
 bu426-a.pdf pdf_icon

BU426

BU426, BU426A NPN SILICON POWER TRANSISTORS Rugged Triple-Diffused Planar Construction SOT-93 PACKAGE (TOP VIEW) 900 Volt Blocking Capability B 1 C 2 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25 C case temperature (unless otherwise noted) RATING SYMBOL VALUE UNIT BU426 800 Collector-base voltage (IE = 0) VCBO V BU426

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
 bu426af.pdf pdf_icon

BU426

isc Silicon NPN Power Transistor BU426AF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switch-mode CTV supply systems applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vol

 0.3. Size:216K  inchange semiconductor
 bu426a.pdf pdf_icon

BU426

isc Silicon NPN Power Transistor BU426A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switch-mode CTV supply systems applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU409, BU410, BU411, BU412, BU413, BU414, BU414B, BU415B, C5198, BU426A, BU426AF, BU426F, BU433, BU4508AF, BU4508AX, BU4508AZ, BU4508DF