Справочник транзисторов. BU426

 

Биполярный транзистор BU426 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU426
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 375 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TOP3
 

 Аналог (замена) для BU426

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU426 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 bu426.pdf pdf_icon

BU426

isc Silicon NPN Power Transistor BU426DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 375V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switch-mode CTV supply systems applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volta

 0.1. Size:106K  bourns
 bu426-a.pdf pdf_icon

BU426

BU426, BU426ANPN SILICON POWER TRANSISTORS Rugged Triple-Diffused Planar ConstructionSOT-93 PACKAGE(TOP VIEW) 900 Volt Blocking CapabilityB1C 23EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute maximum ratings at 25C case temperature (unless otherwise noted)RATING SYMBOL VALUE UNITBU426 800Collector-base voltage (IE = 0) VCBO VBU426

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
 bu426af.pdf pdf_icon

BU426

isc Silicon NPN Power Transistor BU426AFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switch-mode CTV supply systems applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

 0.3. Size:216K  inchange semiconductor
 bu426a.pdf pdf_icon

BU426

isc Silicon NPN Power Transistor BU426ADESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switch-mode CTV supply systems applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BU409 , BU410 , BU411 , BU412 , BU413 , BU414 , BU414B , BU415B , 13007 , BU426A , BU426AF , BU426F , BU433 , BU4508AF , BU4508AX , BU4508AZ , BU4508DF .

History: 2SC2593 | 3DD4243D-C | NTE2560 | 2SC2412-Q | NPS5447 | DMC20501 | BFY85B

 

 
Back to Top

 


 
.