Справочник транзисторов. BU426F

 

Биполярный транзистор BU426F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BU426F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: ISOWATT218

 Аналоги (замена) для BU426F

 

 

BU426F Datasheet (PDF)

 9.1. Size:106K  bourns
bu426-a.pdf

BU426F
BU426F

BU426, BU426ANPN SILICON POWER TRANSISTORS Rugged Triple-Diffused Planar ConstructionSOT-93 PACKAGE(TOP VIEW) 900 Volt Blocking CapabilityB1C 23EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute maximum ratings at 25C case temperature (unless otherwise noted)RATING SYMBOL VALUE UNITBU426 800Collector-base voltage (IE = 0) VCBO VBU426

 9.2. Size:214K  inchange semiconductor
bu426af.pdf

BU426F
BU426F

isc Silicon NPN Power Transistor BU426AFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switch-mode CTV supply systems applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

 9.3. Size:215K  inchange semiconductor
bu426.pdf

BU426F
BU426F

isc Silicon NPN Power Transistor BU426DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 375V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switch-mode CTV supply systems applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volta

 9.4. Size:216K  inchange semiconductor
bu426a.pdf

BU426F
BU426F

isc Silicon NPN Power Transistor BU426ADESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switch-mode CTV supply systems applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top