BU433. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU433

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 375 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BU433

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU433 даташит

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
 bu433.pdf pdf_icon

BU433

isc Silicon NPN Power Transistor BU433 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 375V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in the switch-mode power supply of color TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Colle

Другие транзисторы: BU413, BU414, BU414B, BU415B, BU426, BU426A, BU426AF, BU426F, TIP122, BU4508AF, BU4508AX, BU4508AZ, BU4508DF, BU4508DX, BU500, BU505, BU505D