BU500. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU500

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU500

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU500 даташит

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu500.pdf pdf_icon

BU500

isc Silicon NPN Power Transistor BU500 DESCRIPTION High Voltage-V = 1500V(Min.) CEX Low Collector Saturation Voltage- V = 1.0V(Max.)@ I = 4.5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие транзисторы: BU426AF, BU426F, BU433, BU4508AF, BU4508AX, BU4508AZ, BU4508DF, BU4508DX, BC557, BU505, BU505D, BU505DF, BU505F, BU506, BU506D, BU506DF, BU506F