Справочник транзисторов. BU808DFI

 

Биполярный транзистор BU808DFI - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BU808DFI
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: ISOWATT218

 Аналоги (замена) для BU808DFI

 

 

BU808DFI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  st
bu808dfi.pdf

BU808DFI BU808DFI

BU808DFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN MONOLITHIC DARLINGTON WITHINTEGRATED FREE-WHEELING DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1400 V ) HIGH DC CURRENT GAIN ( TYP. 150 ) FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING3 LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS2 DEDICATED APPLICATION NOTE AN11841

 7.1. Size:219K  st
bu808dfh.pdf

BU808DFI BU808DFI

BU808DFHHIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR NEW Fully Plastic TO-220 for HIGHVOLTAGE APPLICATIONS NPN MONOLITHIC DARLINGTON WITHINTEGRATED FREE-WHEELING DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1400 V ) HIGH DC CURRENT GAIN ( TYP. 150 ) LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS DEDICATED APPLICATION NOTE AN1184 FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNT

 7.2. Size:71K  st
bu808df1.pdf

BU808DFI BU808DFI

BU808DFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER DARLINGTON STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN DARLINGTON WITH INTEGRATEDANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTERDIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH DC CURRENT GAIN U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE3(U.L. FILE # E81734 (N))2 LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS1 COST AND SPACE SAVING.ISOWATT218APPLICATIONS HORIZONTAL DE

 9.1. Size:75K  inchange semiconductor
bu808.pdf

BU808DFI BU808DFI

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU808 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 700V(Min) High Switching Speed APPLICATIONSDesigned for use in three-phase AC motor control systems ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCES Collector- Emitter Voltage VBE=0 1500 VVCEO Colle

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top