BU808FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU808FI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BU808FI

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU808FI даташит

 9.1. Size:219K  st
 bu808dfh.pdf pdf_icon

BU808FI

BU808DFH HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR NEW Fully Plastic TO-220 for HIGH VOLTAGE APPLICATIONS NPN MONOLITHIC DARLINGTON WITH INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1400 V ) HIGH DC CURRENT GAIN ( TYP. 150 ) LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS DEDICATED APPLICATION NOTE AN1184 FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNT

 9.2. Size:71K  st
 bu808df1.pdf pdf_icon

BU808FI

BU808DFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER DARLINGTON STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE NPN DARLINGTON WITH INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH DC CURRENT GAIN U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE 3 (U.L. FILE # E81734 (N)) 2 LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS 1 COST AND SPACE SAVING. ISOWATT218 APPLICATIONS HORIZONTAL DE

 9.3. Size:73K  st
 bu808dfi.pdf pdf_icon

BU808FI

BU808DFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE NPN MONOLITHIC DARLINGTON WITH INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1400 V ) HIGH DC CURRENT GAIN ( TYP. 150 ) FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING 3 LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS 2 DEDICATED APPLICATION NOTE AN1184 1

 9.4. Size:75K  inchange semiconductor
 bu808.pdf pdf_icon

BU808FI

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU808 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 700V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in three-phase AC motor control systems ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector- Emitter Voltage VBE=0 1500 V VCEO Colle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU806FI, BU807, BU807F, BU807FI, BU808, 2SB647-C, BU808DFI, BU808DXI, TIP120, BU810, BU824, BU826, BU826A, BU902, BU902F, BU903, BU903F