BU826A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU826A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BU826A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU826A даташит

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
 bu826a.pdf pdf_icon

BU826A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU826A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for line operated switchmode applications such as Switching regulators Inverters Solenoid and relay drivers ABSOLUTE MA

 9.1. Size:218K  inchange semiconductor
 bu826.pdf pdf_icon

BU826A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU826 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 375V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for line operated switchmode applications such as Switching regulators Inverters Solenoid and relay drivers ABSOLUTE MAX

Другие транзисторы: BU808, 2SB647-C, BU808DFI, BU808DXI, BU808FI, BU810, BU824, BU826, BD333, BU902, BU902F, BU903, BU903F, BU908, BU908AF, BU910, BU911