BU920T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU920T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU920T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU920T даташит

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
 bu920t.pdf pdf_icon

BU920T

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU920T DESCRIPTION High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage V = 0 400 V CES BE V Coll

 9.1. Size:217K  inchange semiconductor
 bu920p.pdf pdf_icon

BU920T

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU920P DESCRIPTION High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage V = 0 400 V CES BE V Coll

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
 bu920pfi.pdf pdf_icon

BU920T

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU920PFI DESCRIPTION High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage V = 0 400 V CES BE V Co

 9.3. Size:207K  inchange semiconductor
 bu920.pdf pdf_icon

BU920T

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU920 DESCRIPTION High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage V = 0 400 V CES BE V Colle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU908, BU908AF, BU910, BU911, BU912, BU920, BU920P, BU920PFI, 2N3055, BU921, BU921P, BU921PFI, BU921T, BU921TFI, BU921ZP, BU921ZPFI, BU921ZT