Справочник транзисторов. BU921P

 

Биполярный транзистор BU921P Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU921P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TOP3
 

 Аналог (замена) для BU921P

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU921P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  inchange semiconductor
 bu921p.pdf pdf_icon

BU921P

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921PDESCRIPTIONHigh VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage V = 0 450 VCES BEV Coll

 0.1. Size:216K  inchange semiconductor
 bu921pfi.pdf pdf_icon

BU921P

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921PFIDESCRIPTIONHigh VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage V = 0 450 VCES BEV Co

 9.1. Size:217K  inchange semiconductor
 bu921t.pdf pdf_icon

BU921P

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921TDESCRIPTIONHigh VoltageDarlingtonMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage V = 0 450 V

 9.2. Size:206K  inchange semiconductor
 bu921.pdf pdf_icon

BU921P

isc Silicon NPN Power Transistor BU921DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BU910 , BU911 , BU912 , BU920 , BU920P , BU920PFI , BU920T , BU921 , A1015 , BU921PFI , BU921T , BU921TFI , BU921ZP , BU921ZPFI , BU921ZT , BU921ZTFI , BU922 .

History: BCP5616

 

 
Back to Top

 


 
.