BU921PFI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU921PFI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BU921PFI

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU921PFI даташит

 ..1. Size:216K  inchange semiconductor
 bu921pfi.pdf pdf_icon

BU921PFI

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921PFI DESCRIPTION High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage V = 0 450 V CES BE V Co

 8.1. Size:217K  inchange semiconductor
 bu921p.pdf pdf_icon

BU921PFI

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921P DESCRIPTION High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage V = 0 450 V CES BE V Coll

 9.1. Size:217K  inchange semiconductor
 bu921t.pdf pdf_icon

BU921PFI

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921T DESCRIPTION High Voltage Darlington Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage V = 0 450 V

 9.2. Size:206K  inchange semiconductor
 bu921.pdf pdf_icon

BU921PFI

isc Silicon NPN Power Transistor BU921 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU911, BU912, BU920, BU920P, BU920PFI, BU920T, BU921, BU921P, C5198, BU921T, BU921TFI, BU921ZP, BU921ZPFI, BU921ZT, BU921ZTFI, BU922, BU922P