Справочник транзисторов. BU921TFI

 

Биполярный транзистор BU921TFI - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BU921TFI
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BU921TFI

 

 

BU921TFI Datasheet (PDF)

 8.1. Size:217K  inchange semiconductor
bu921t.pdf

BU921TFI
BU921TFI

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921TDESCRIPTIONHigh VoltageDarlingtonMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage V = 0 450 V

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
bu921pfi.pdf

BU921TFI
BU921TFI

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921PFIDESCRIPTIONHigh VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage V = 0 450 VCES BEV Co

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
bu921p.pdf

BU921TFI
BU921TFI

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921PDESCRIPTIONHigh VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage V = 0 450 VCES BEV Coll

 9.3. Size:206K  inchange semiconductor
bu921.pdf

BU921TFI
BU921TFI

isc Silicon NPN Power Transistor BU921DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emi

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top