Справочник транзисторов. BU921ZP

 

Биполярный транзистор BU921ZP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BU921ZP
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BU921ZP

 

 

BU921ZP Datasheet (PDF)

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
bu921pfi.pdf

BU921ZP
BU921ZP

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921PFIDESCRIPTIONHigh VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage V = 0 450 VCES BEV Co

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
bu921p.pdf

BU921ZP
BU921ZP

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921PDESCRIPTIONHigh VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage V = 0 450 VCES BEV Coll

 9.3. Size:217K  inchange semiconductor
bu921t.pdf

BU921ZP
BU921ZP

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU921TDESCRIPTIONHigh VoltageDarlingtonMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Voltage V = 0 450 V

 9.4. Size:206K  inchange semiconductor
bu921.pdf

BU921ZP
BU921ZP

isc Silicon NPN Power Transistor BU921DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for automotive ignition applications and invertercircuits for motor control.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emi

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top