BU932. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BU932
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BU932
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BU932 даташит
bu932.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU932 DESCRIPTION High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Automotive ignition applications Inverters circuits for motor controls ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 500 V CBO V Collector-Emitter Voltage 450 V CEO V Em
bu931r bu932r.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU931R BU932R DESCRIPTION With TO-3 package DARLINGTON APPLICATIONS Automotive ignition applications Inverters circuits for motor controls PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBO
bu932p.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU932P DESCRIPTION High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions. High voltage ignition coil driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 500 V CBO V Collector-Emitter Voltage 450 V CEO V
bu932r.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU932R DESCRIPTION High Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 500 V CBO V Collector-Emitter Voltage 450 V CEO V E
Другие транзисторы: BU931SM, BU931T, BU931TFI, BU931Z, BU931ZP, BU931ZPFI, BU931ZT, BU931ZTFI, B772, BU932P, BU932R, BU932RP, BU932RPFI, BU941, BU941P, BU941PFI, BU941SM
History: 2SD634
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450
