Справочник транзисторов. BU941ZSM

 

Биполярный транзистор BU941ZSM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU941ZSM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOP10
 

 Аналог (замена) для BU941ZSM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU941ZSM Datasheet (PDF)

 8.1. Size:286K  1
bu941zl bu941zg.pdfpdf_icon

BU941ZSM

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD BU941Z NPN SILICON TRANSISTOR NPN POWER DARLINGTON HIGH VOLTAGE IGNITION 1TO-3PCOIL DRIVER FEATURES 1TO-220* NPN Darlington * Integrated antiparallel collector-emitter diode APPLICATIONS 1* High ruggedness electric ignitions TO-263 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM (2) CB(1)(3) E ORDERING INFORMATION Ordering Number

 8.2. Size:89K  st
bu941zt bu941ztfp bub941zt.pdfpdf_icon

BU941ZSM

BU941ZT/BU941ZTFPBUB941ZT HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVERNPN POWER DARLINGTON VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY BUILT IN CLAMPING ZENER HIGH OPERATING JUNCTIONTEMPERATURE WIDE RANGE OF PACKAGES SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263)3 3POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)2 2OR IN TAPE & REEL (SUFFIX T4)1 1TO-220 TO-220FPAPPLICATIONS HIGH RUGGEDNESS ELECTRONICI

 8.3. Size:413K  st
bu941ztfp-zt bub941zt.pdfpdf_icon

BU941ZSM

BU941ZT/BU941ZTFPBUB941ZTHIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVERNPN POWER DARLINGTON VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY BUILT IN CLAMPING ZENER HIGH OPERATING JUNCTIONTEMPERATURE WIDE RANGE OF PACKAGES SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263)3 3POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX)2 2OR IN TAPE & REEL (SUFFIX "T4")1 1TO-220 TO-220FPAPPLICATIONS HIGH RUGGEDNESS ELECTRONICIGNITI

 8.4. Size:247K  cystek
bu941zle3.pdfpdf_icon

BU941ZSM

Spec. No. : C660E3 Issued Date : 2014.01.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 350VBU941ZLE3 IC 15AVCESAT(MAX) 1.6VFeatures High BVCEO Low VCE(SAT) High current capability Built-in clamping zener Pb-free lead plating package Applications High ruggedness electronic ignitions Equivalent

Другие транзисторы... BU941P , BU941PFI , BU941SM , BU941T , BU941TFI , BU941Z , BU941ZP , BU941ZPFI , C3198 , BU941ZT , BU941ZTFI , BU999 , BUD44D , BUD44D2 , BUD46 , BUD46A , BUD47 .

History: CSA1162

 

 
Back to Top

 


 
.