BUF410A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUF410A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TOP3
Аналоги (замена) для BUF410A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUF410A даташит
buf410a.pdf
BUF410A High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Very high switching speed Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Low base-drive requirements Applications 3 2 1 Switch mode power supplies TO-247 Motor control Description The BUF410A is manufactured using high voltage Figure 1. Internal schematic diagram
buf410a.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUF410A DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching APPLICATIONS Designed for use in high-frequency power supplies and motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCEV Collector-Emitter Voltage VBE= -1.5V 1000 V VCEO Collector-Emitter Vo
buf410ai.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUF410AI DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-frequency power supplies and motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )
buf410.pdf
BUF410 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY VERY HIGH SWITCHING SPEED MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS APPLICATIONS 3 SWITCH MODE POWER SUPPLIES 2 MOTOR CONTROL 1 DESCRIPTION TO-218 The BUF410 is manufactured using High Voltage Multi Epitaxial Planar technolo
Другие транзисторы: BUD87SMD, BUD98, BUD98I, BUF405, BUF405A, BUF405AFI, BUF405AXI, BUF410, A42, BUF410AI, BUF410FI, BUF410I, BUF420, BUF420A, BUF420AI, BUF420AM, BUF420I
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955


