2N1032C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1032C

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N1032C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1032C даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1030C, 2N1031, 2N1031A, 2N1031B, 2N1031C, 2N1032, 2N1032A, 2N1032B, D667, 2N1034, 2N1035, 2N1036, 2N1037, 2N1038, 2N1038-1, 2N1038-2, 2N1039