BUF642. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUF642

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUF642

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUF642 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BUF420M, BUF460AV, BUF460V, BUF620, BUF630, BUF636A, BUF640, BUF640A, TIP41, BUF644, BUF646, BUF646A, BUF650, BUF653, BUF654, BUF660, BUF672