BUF650. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUF650

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUF650

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUF650 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BUF630, BUF636A, BUF640, BUF640A, BUF642, BUF644, BUF646, BUF646A, 2SA1943, BUF653, BUF654, BUF660, BUF672, BUF725D, BUF742, BUF744, BUH100