BUH315D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUH315D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5.5
Корпус транзистора: ISOWATT218
Аналоги (замена) для BUH315D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUH315D даташит
buh315d.pdf
BUH315D HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE (U.L. FILE # E81734 (N)) NPN TRANSISTOR WITH INTEGRATED FREEWHEELING DIODE. APPLICATIONS 3 HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR 2 TV 1 DESCRIPTION ISOWATT218 The BUH315D is manufactured using Multiepitaxial Mesa technology for cos
buh315d.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUH315D DESCRIPTION High Switching Speed High Voltage Built-in Integrated Diode APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits in TV s and monitors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collector-Emi
buh315dfh.pdf
BUH315DFH HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NEW Fully Plastic TO-220 for HIGH VOLTAGE APPLICATIONS HIGH VOLTAGE CAPABILITY ( > 1500 V ) FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING NPN TRANSISTOR WITH INTEGRATED FREEWHEELING DIODE CREEPAGE DISTANCE PATH > 4 mm APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR TVS TO-220FH DESCRIPTION The dev
buh315.pdf
BUH315 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE (U.L. FILE # E81734 (N)). APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR 3 TV 2 SWITCH MODE POWER SUPPLIES 1 ISOWATT218 DESCRIPTION The BUH315 is manufactured using Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high perform
Другие транзисторы: BUH1015, BUH1215, BUH150, BUH2M20AP, BUH2M20P, BUH313, BUH313D, BUH315, 2SC2073, BUH315DXI, BUH415DXI, BUH417, BUH50, BUH51, BUH513, BUH515, BUH515D
History: 2SB381
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor



