BUL146F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUL146F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 14
Корпус транзистора: TO220F
Аналоги (замена) для BUL146F
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUL146F даташит
bul146g bul146fg.pdf
BUL146G, BUL146FG SWITCHMODEt NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications The BUL146G / BUL146FG have an applications specific state-of-the-art die designed for use in fluorescent electric lamp http //onsemi.com ballasts to 130 W and in Switchmode Power supplies for all types of electronic equipment. POWER TRANSISTOR Features 8.0 AMPERES Improved Efficie
bul146re.pdf
Order this document MOTOROLA by BUL146/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Designer's Data Sheet BUL146* SWITCHMODE BUL146F* NPN Bipolar Power Transistor *Motorola Preferred Device For Switching Power Supply Applications The BUL146/BUL146F have an applications specific state of the art die designed POWER TRANSISTOR for use in fluorescent electric lamp ballasts to 130 Watts a
bul147re.pdf
Order this document MOTOROLA by BUL147/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Designer's Data Sheet BUL147* SWITCHMODE BUL147F* NPN Bipolar Power Transistor *Motorola Preferred Device For Switching Power Supply Applications POWER TRANSISTOR The BUL147/BUL147F have an applications specific state of the art die designed 8.0 AMPERES for use in electric fluorescent lamp ballasts t
bul1403ed.pdf
BUL1403ED HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR INTEGRATED ANTISATURATION AND PROTECTION NETWORK INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR EMITTER DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED 3 2 ARCING TEST SELF PROTECTED 1 APPLICATIONS TO-220 2/4 LAMPS ELECTRONIC
Другие транзисторы: BUH515D, BUH515DXI, BUH515XI, BUH517, BUH517D, BUH615, BUH715, BUL146, BC558, BUL147, BUL147F, BUL213, BUL216, BUL26, BUL26D, BUL310, BUL310PI
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet






