BUL147. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUL147
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 14
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BUL147
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUL147 даташит
bul147re.pdf
Order this document MOTOROLA by BUL147/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Designer's Data Sheet BUL147* SWITCHMODE BUL147F* NPN Bipolar Power Transistor *Motorola Preferred Device For Switching Power Supply Applications POWER TRANSISTOR The BUL147/BUL147F have an applications specific state of the art die designed 8.0 AMPERES for use in electric fluorescent lamp ballasts t
bul147-d.pdf
BUL147 SWITCHMODEt NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications The BUL147 have an applications specific state-of-the-art die http //onsemi.com designed for use in electric fluorescent lamp ballasts to 180 Watts and in Switchmode Power supplies for all types of electronic equipment. POWER TRANSISTOR Features 8.0 AMPERES, 700 VOLTS, Improved Efficiency Due
bul146re.pdf
Order this document MOTOROLA by BUL146/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Designer's Data Sheet BUL146* SWITCHMODE BUL146F* NPN Bipolar Power Transistor *Motorola Preferred Device For Switching Power Supply Applications The BUL146/BUL146F have an applications specific state of the art die designed POWER TRANSISTOR for use in fluorescent electric lamp ballasts to 130 Watts a
bul1403ed.pdf
BUL1403ED HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR INTEGRATED ANTISATURATION AND PROTECTION NETWORK INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR EMITTER DIODE HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED 3 2 ARCING TEST SELF PROTECTED 1 APPLICATIONS TO-220 2/4 LAMPS ELECTRONIC
Другие транзисторы: BUH515DXI, BUH515XI, BUH517, BUH517D, BUH615, BUH715, BUL146, BUL146F, TIP31, BUL147F, BUL213, BUL216, BUL26, BUL26D, BUL310, BUL310PI, BUL381
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet






