Справочник транзисторов. BUL410

 

Биполярный транзистор BUL410 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BUL410
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUL410

 

 

BUL410 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:119K  st
bul416t.pdf

BUL410
BUL410

BUL416THigh voltage fast-switching NPN power transistorFeatures High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speedApplications32 Electronic ballast for fluorescent lighting 1 Switch mode power suppliesTO-220DescriptionThe BUL416T is an high voltage fast-switching NPN power transistor manufactured in planar Figure 1. In

 9.2. Size:212K  st
bul416.pdf

BUL410
BUL410

BUL416HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTORn STMicroelectronics PREFERRED SALES Figure 1: PackageTYPEn NPN TRANSISTORn HIGH VOLTAGE CAPABILITYn VERY HIGH SWITCHING SPEEDn FULLY CHARACTERISEZ AT 125 oCn LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS32APPLICATIONS1 TO-220n ELECTRONIC BALLAST FOR FLUORESCENT LIGHTINGn SWITCH MODE POWER SUPPLIESFigure 2: Internal Sch

 9.3. Size:211K  inchange semiconductor
bul416t.pdf

BUL410
BUL410

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BUL416TDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 800V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage: V = 1.5V(Max) @ I = 2ACE(sat) CVery High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in lighting applications a

 9.4. Size:287K  inchange semiconductor
bul416.pdf

BUL410
BUL410

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUL416 DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS) = 800V(Min.) Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.5V(Max) @ IC= 2A Very High Switching Speed APPLICATIONSDesigned for use in lighting applications and low cost switch- mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMU

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top