BUL54B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUL54B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUL54B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL54B даташит

 0.1. Size:10K  semelab
 bul54bsmd.pdf pdf_icon

BUL54B

BUL54BSMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 400V IC = 5A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (

 9.1. Size:20K  semelab
 bul54asmd.pdf pdf_icon

BUL54B

BUL54ASMD ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING (tf = 40ns) EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE PERFORMANCE HIGH ENERGY RATING E

 9.2. Size:15K  semelab
 bul54a-sm.pdf pdf_icon

BUL54B

BUL54A SM SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE 11.5 2.0 0.25 HIGH VOLTAGE 3.5 3.5 3.0 FAST SWITCHING (tf = 40ns) EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE PERFORMANCE 1 3 HIGH ENERGY RATING EFFICIENT POWER SWITCHING 2 MILITARY AND HI REL

 9.3. Size:137K  semelab
 bul54a-to5.pdf pdf_icon

BUL54B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUL52A, BUL52AFI, BUL52B, BUL52BFI, BUL53A, BUL53B, BUL54A, BUL54AFI, 2SC828, BUL54BFI, BUL55A, BUL55B, BUL56A, BUL56B, BUL57, BUL57A, BUL57PI