BUL55B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUL55B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUL55B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL55B даташит

 0.1. Size:10K  semelab
 bul55bsmd.pdf pdf_icon

BUL55B

BUL55BSMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 250V IC = 8A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (

 9.1. Size:10K  semelab
 bul55asmd.pdf pdf_icon

BUL55B

BUL55ASMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 300V IC = 7A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (

 9.2. Size:466K  blue-rocket-elect
 bul5555.pdf pdf_icon

BUL55B

BUL5555(BR3DD5555R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , Fast speed switching, Wide SOA. / Applications High voltage switch mode,suitable for electro

Другие транзисторы: BUL52BFI, BUL53A, BUL53B, BUL54A, BUL54AFI, BUL54B, BUL54BFI, BUL55A, TIP32C, BUL56A, BUL56B, BUL57, BUL57A, BUL57PI, BUL58A, BUL58B, BUL58D