Биполярный транзистор BUR11 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BUR11
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO63
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам