Биполярный транзистор BUR32 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BUR32
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам