BUR32. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUR32

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUR32

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUR32 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BUR15, BUR20, BUR21, BUR22, BUR23, BUR24, BUR30, BUR31, 2SD669A, BUR33, BUR34, BUR50, BUR50S, BUR51, BUR52, BUR53, BUR54