BUR53. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUR53
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BUR53
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUR53 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BUR31, BUR32, BUR33, BUR34, BUR50, BUR50S, BUR51, BUR52, 2SD669, BUR54, BUR55, BUR56, BUR60, BUR606, BUR606D, BUR607, BUR607D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031
