BUS14. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUS14

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUS14

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUS14 даташит

 ..1. Size:130K  inchange semiconductor
 bus14.pdf pdf_icon

BUS14

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUS14 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor controls PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL

 0.1. Size:130K  inchange semiconductor
 bus14a.pdf pdf_icon

BUS14

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUS14A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor controls PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBO

Другие транзисторы: BUS131H, BUS132, BUS132A, BUS132H, BUS133, BUS133A, BUS133H, BUS13A, 13007, BUS14-4, BUS14-5, BUS14-6, BUS14-7, BUS14A, BUS21, BUS21A, BUS21B