BUS14-6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUS14-6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 214 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUS14-6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUS14-6 даташит

 9.1. Size:130K  inchange semiconductor
 bus14.pdf pdf_icon

BUS14-6

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUS14 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor controls PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL

 9.2. Size:130K  inchange semiconductor
 bus14a.pdf pdf_icon

BUS14-6

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUS14A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage ,high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor controls PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBO

Другие транзисторы: BUS132H, BUS133, BUS133A, BUS133H, BUS13A, BUS14, BUS14-4, BUS14-5, D882, BUS14-7, BUS14A, BUS21, BUS21A, BUS21B, BUS21C, BUS21D, BUS22