Справочник транзисторов. BUT12AF

 

Биполярный транзистор BUT12AF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BUT12AF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SOT186

 Аналоги (замена) для BUT12AF

 

 

BUT12AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  inchange semiconductor
but12f but12af.pdf

BUT12AF BUT12AF

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUT12F BUT12AF DESCRIPTION With TO-220Fa package High voltage ,high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor control systems PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Tc=

 8.1. Size:52K  philips
but12ai 1.pdf

BUT12AF BUT12AF

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUT12AI GENERAL DESCRIPTIONImproved high-voltage, high-speed glass-passivated npn power transistor in a TO220AB envelope specially suitedfor use in overhead/high frequency lighting ballast applications and converters, inverters, switching regulators,motor control systems, etc.QUICK REFERENCE DATASYMBOL

 8.2. Size:165K  inchange semiconductor
but12a.pdf

BUT12AF BUT12AF

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT12A DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor control systems ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1000 V VCEO Collector-Emitter Voltage 450 V VEBO Emitt

 8.3. Size:211K  inchange semiconductor
but12ax.pdf

BUT12AF BUT12AF

isc Silicon NPN Power Transistor BUT12AXDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min.)CEO(SUS)High Speed Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSConvertersInvertersSwitching regulatorsMotor control systemsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top