BUT13 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BUT13 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUT13
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 28 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для BUT13

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT13 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:147K  inchange semiconductor
 but131 a.pdf pdf_icon

BUT13

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT131/A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 450V(Min)- BUT131 500V(Min)- BUT131A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAME

 0.2. Size:138K  inchange semiconductor
 but131h.pdf pdf_icon

BUT13

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT131H DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 450V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCES Collector-

Другие транзисторы... BUT11AFI , BUT11AX , BUT11F , BUT12 , BUT12A , BUT12AF , BUT12AFI , BUT12F , 2SA1015 , BUT131 , BUT131A , BUT131H , BUT13P , BUT13PFI , BUT14 , BUT15 , BUT16 .

History: KT716V | FXT3866SM | MPS2369R | MQ2221 | SD1726 | BDT42 | 3DD4615H

 

 
Back to Top

 


 
.