BUT13 - описание и поиск аналогов

 

BUT13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUT13

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 28 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUT13

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT13 даташит

 0.1. Size:147K  inchange semiconductor
 but131 a.pdf pdf_icon

BUT13

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT131/A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 450V(Min)- BUT131 500V(Min)- BUT131A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

 0.2. Size:138K  inchange semiconductor
 but131h.pdf pdf_icon

BUT13

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT131H DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 450V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-

Другие транзисторы: BUT11AFI, BUT11AX, BUT11F, BUT12, BUT12A, BUT12AF, BUT12AFI, BUT12F, BC639, BUT131, BUT131A, BUT131H, BUT13P, BUT13PFI, BUT14, BUT15, BUT16

 

 

 

 

↑ Back to Top
.