Биполярный транзистор BUT131A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUT131A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO220
BUT131A Datasheet (PDF)
but131 a.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT131/A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 450V(Min)- BUT131 500V(Min)- BUT131A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAME
but131h.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT131H DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 450V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCES Collector-
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050