Справочник транзисторов. BUT33

 

Биполярный транзистор BUT33 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BUT33
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 56 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUT33

 

 

BUT33 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:284K  motorola
 but33rev.pdf

BUT33 BUT33

Order this documentMOTOROLAby BUT33/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUT33Designer's Data Sheet56 AMPERESSWITCHMODE SeriesNPN SILICONPOWER DARLINGTONNPN Silicon Power DarlingtonTRANSISTOR600 VOLTSTransistors with Base-Emitter250 WATTSSpeedup DiodeThe BUT33 Darlington transistor is designed for highvoltage, highspeed, powerswitching in inductive circuits wh

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top