BUT33 - описание и поиск аналогов

 

BUT33. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUT33

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 56 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUT33

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUT33 даташит

 0.1. Size:284K  motorola
 but33rev.pdf pdf_icon

BUT33

Order this document MOTOROLA by BUT33/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BUT33 Designer's Data Sheet 56 AMPERES SWITCHMODE Series NPN SILICON POWER DARLINGTON NPN Silicon Power Darlington TRANSISTOR 600 VOLTS Transistors with Base-Emitter 250 WATTS Speedup Diode The BUT33 Darlington transistor is designed for high voltage, high speed, power switching in inductive circuits wh

Другие транзисторы: BUT22B, BUT22BF, BUT22C, BUT22CF, BUT230V, BUT232V, BUT30, BUT32, 2N5401, BUT34, BUT35, BUT36, BUT46, BUT46A, BUT50P, BUT51P, BUT54

 

 

 

 

↑ Back to Top
.