Справочник транзисторов. BUV298AV

 

Биполярный транзистор BUV298AV - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BUV298AV
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BUV298AV

 

 

BUV298AV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  st
buv298av.pdf

BUV298AV
BUV298AV

BUV298AVNPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS INSULATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS: MOTOR CONTROLPin 4 not connected SMPS & UPS WELDING EQUIPMENTISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol P

 7.1. Size:103K  st
buv298a.pdf

BUV298AV
BUV298AV

BUV298AVNPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS: MOTOR CONTROLPin 4 not connected SMPS & UPS WELDING EQUIPMENTISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Paramet

 8.1. Size:103K  st
buv298.pdf

BUV298AV
BUV298AV

BUV298VNPN TRANSISTOR POWER MODULE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW Rth JUNCTION CASE SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEAPPLICATIONS:Pin 4 not connected MOTOR CONTROL SMPS & UPS WELDING EQUIPMENTISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Para

 8.2. Size:339K  st
buv298v.pdf

BUV298AV
BUV298AV

BUV298VNPN transistor power moduleGeneral features NPN Transistor High current power bipolar module Very low Rth junction case Specific accidental overload areas Fully insulated package (U.L. compliant) for easy mounting Low internal parasitic inductance Pin 4 not connected In compliance with the 2002/93/EC European ISOTOPDirectiveApplications

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top