BUV298CV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV298CV

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 45 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: ISOTOP

 Аналоги (замена) для BUV298CV

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV298CV даташит

 8.1. Size:103K  st
 buv298a.pdf pdf_icon

BUV298CV

BUV298AV NPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASE th SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE INDUSTRIAL APPLICATIONS MOTOR CONTROL Pin 4 not connected SMPS & UPS WELDING EQUIPMENT ISOTOP INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Paramet

 8.2. Size:409K  st
 buv298av.pdf pdf_icon

BUV298CV

BUV298AV NPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASE th SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS INSULATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE INDUSTRIAL APPLICATIONS MOTOR CONTROL Pin 4 not connected SMPS & UPS WELDING EQUIPMENT ISOTOP INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol P

 8.3. Size:103K  st
 buv298.pdf pdf_icon

BUV298CV

BUV298V NPN TRANSISTOR POWER MODULE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW Rth JUNCTION CASE SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE APPLICATIONS Pin 4 not connected MOTOR CONTROL SMPS & UPS WELDING EQUIPMENT ISOTOP INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Para

 8.4. Size:339K  st
 buv298v.pdf pdf_icon

BUV298CV

BUV298V NPN transistor power module General features NPN Transistor High current power bipolar module Very low Rth junction case Specific accidental overload areas Fully insulated package (U.L. compliant) for easy mounting Low internal parasitic inductance Pin 4 not connected In compliance with the 2002/93/EC European ISOTOP Directive Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUV27F, BUV27FI, BUV28, BUV28A, BUV28F, BUV28FI, BUV296AV, BUV298AV, 2SC5198, BUV298V, BUV30, BUV36, BUV36A, BUV37, BUV39, BUV40, BUV406