BUV30. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUV30
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 350
Корпус транзистора: TOP3
Аналоги (замена) для BUV30
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUV30 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BUV28, BUV28A, BUV28F, BUV28FI, BUV296AV, BUV298AV, BUV298CV, BUV298V, D965, BUV36, BUV36A, BUV37, BUV39, BUV40, BUV406, BUV41, BUV42
History: BULD26-1 | 3CG1037AK
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250
