BUV61. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV61

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 24 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV61

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV61 даташит

 ..1. Size:49K  st
 buv61.pdf pdf_icon

BUV61

BUV61 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERIZED AT 125oC APPLICATION SWITCHING REGULATORS MOTOR CONTROL 1 DESCRIPTION 2 The BUV61 is a Multi-Epitaxial planar NPN transistor in TO-3 metal case. TO-3 It is intented for use in high frequency and (version " S ") efficiency converters such us motor co

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
 buv61.pdf pdf_icon

BUV61

isc Silicon NPN Power Transistor BUV61 DESCRIPTION High Current Capability Fully characterized at 125 Fast switching speed Motor control Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Intented for use in high frequency and efficiency converters such us motor controllers and industrial equipment. Absolute maximum ratings

Другие транзисторы: BUV51, BUV52, BUV52A, BUV54, BUV54A, BUV56, BUV56A, BUV60, BC337, BUV62, BUV62A, BUV63, BUV66, BUV66A, BUV70, BUV70F, BUV71