Биполярный транзистор BUV98V - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUV98V
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 9
Корпус транзистора: SOT227
BUV98V Datasheet (PDF)
buv98v.pdf
BUV98VNPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS4 ISOLATED CASE (2500V RMS)3 EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE1INDUSTRIAL APPLICATIONS:2 MOTOR CONTROL SMPS & UPSPin 4 not connected WELDING EQUIPMENTISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymb
buv98av.pdf
BUV98AVNPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS FULLY INSULATED PACKAGE (U.L.COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS MOTOR CONTROLPin 4 not connected SMPS & UPS WELDING EQUIPMENTISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RA
buv98.pdf
BUV98VNPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS: MOTOR CONTROLPin 4 not connected SMPS & UPS WELDING EQUIPMENTISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter
buv98a.pdf
BUV98AVNPN TRANSISTOR POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS: MOTOR CONTROLPin 4 not connected SMPS & UPS WELDING EQUIPMENTISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Paramete
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N442 | 2N4044
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050