BUW12A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW12A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BUW12A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW12A даташит

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 buw12a.pdf pdf_icon

BUW12A

isc Silicon NPN Power Transistor BUW12A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@I = 5A CE(sat) C High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching industrial applications. ABSOL

 ..2. Size:120K  inchange semiconductor
 buw12 buw12a.pdf pdf_icon

BUW12A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUW12 BUW12A DESCRIPTION With TO-3PN package High voltage,fast speed Low collector saturation voltage APPLICATIONS Specially intended for operating In industrial applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO

 0.1. Size:79K  philips
 buw12w buw12aw 1.pdf pdf_icon

BUW12A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW12W; BUW12AW Silicon diffused power transistors Product specification 1997 Aug 14 Supersedes data of December 1991 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW12W; BUW12AW DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass-passivated NPN power transistor in a SOT429 packag

 0.2. Size:79K  philips
 buw12w buw12aw.pdf pdf_icon

BUW12A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUW12W; BUW12AW Silicon diffused power transistors Product specification 1997 Aug 14 Supersedes data of December 1991 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUW12W; BUW12AW DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass-passivated NPN power transistor in a SOT429 packag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BUV98BV, BUV98CV, BUV98V, BUW11, BUW11A, BUW11AF, BUW11F, BUW12, TIP35C, BUW12AF, BUW12F, BUW13, BUW131, BUW131A, BUW131H, BUW132, BUW132A