Справочник транзисторов. BUW133H

 

Биполярный транзистор BUW133H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUW133H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 135 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
   Корпус транзистора: TOP3
 

 Аналог (замена) для BUW133H

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW133H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
buw133h.pdfpdf_icon

BUW133H

isc Silicon NPN Power Transistor BUW133HDESCRIPTION High Switching SpeedCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 430VCEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in very fast switching applications ininductive circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNITCollect

 8.1. Size:213K  inchange semiconductor
buw133.pdfpdf_icon

BUW133H

isc Silicon NPN Power Transistor BUW133DESCRIPTIONHigh Switching SpeedCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450VCEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in very fast switching applications ininductive circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNITCollector

 8.2. Size:212K  inchange semiconductor
buw133a.pdfpdf_icon

BUW133H

isc Silicon NPN Power Transistor BUW133ADESCRIPTIONHigh Switching SpeedCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 500VCEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in very fast switching applications ininductive circuits.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER MAX UNITCollecto

 8.3. Size:105K  inchange semiconductor
buw133 a.pdfpdf_icon

BUW133H

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUW133/A DESCRIPTION High Switching Speed Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 450V (Min)-BUW133 500V (Min)-BUW133A APPLICATIONS Designed for use in very fast switching applications in inductive circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER MAX UNITBUW

Другие транзисторы... BUW131 , BUW131A , BUW131H , BUW132 , BUW132A , BUW132H , BUW133 , BUW133A , TIP127 , BUW13A , BUW13AF , BUW13F , BUW14 , BUW16 , BUW17 , BUW18 , BUW22 .

History: MM1163

 

 
Back to Top

 


 
.