BUW32AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW32AP

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для BUW32AP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW32AP даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BUW24, BUW25, BUW25-5, BUW26, BUW28, BUW29, BUW32, BUW32A, BC639, BUW32APFI, BUW32P, BUW32PFI, BUW34, BUW35, BUW36, BUW37, BUW38