BUW32AP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: BUW32AP
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 105 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO218
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам