BUW77. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW77

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUW77

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW77 даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 buw77.pdf pdf_icon

BUW77

isc Silicon NPN Power Transistor BUW77 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Intended in fast switching applications for high output powers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emi

Другие транзисторы: BUW67, BUW70, BUW71, BUW72, BUW73, BUW74, BUW75, BUW76, 2SD718, BUW81, BUW81A, BUW84, BUW85, BUW86, BUW87, BUW87A, BUW88