Справочник транзисторов. BUX10CECC

 

Биполярный транзистор BUX10CECC Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUX10CECC
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BUX10CECC

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX10CECC Datasheet (PDF)

 9.1. Size:44K  st
 bux10.pdf pdf_icon

BUX10CECC

BUX10HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED APPLICATIONS MOTOR CONTROL 1 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL2EQUIPMENT DESCRIPTION TO-3The BUX10 is a silicon Multi-Epitaxial PlanarNPN transistor in Jedec TO-3 metal case,intended for use in switching and linearappl

 9.2. Size:204K  inchange semiconductor
 bux10.pdf pdf_icon

BUX10CECC

isc Silicon NPN Power Transistor BUX10DESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor controlLinear and switching industrial equipmentAbsolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 160 VCBOCollector-Emitter VoltageV

 9.3. Size:204K  inchange semiconductor
 bux10a.pdf pdf_icon

BUX10CECC

isc Silicon NPN Power Transistor BUX10ADESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for control amplifiers and power switching circuits,such as converters, inverters, switching regulators, andswitching-control amplifiers.Absolute maximum ratings(Ta=25)S

 9.4. Size:215K  inchange semiconductor
 bux10p.pdf pdf_icon

BUX10CECC

isc Silicon NPN Power Transistor BUX10PDESCRIPTIONHigh Switching SpeedHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor controlLinear and switching industrial equipmentAbsolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 160 VCBOCollector-Emitter Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: IDB1021

 

 
Back to Top

 


 
.