BUX20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX20

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX20

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX20 даташит

 ..1. Size:210K  inchange semiconductor
 bux20.pdf pdf_icon

BUX20

 0.1. Size:205K  inchange semiconductor
 bux20a.pdf pdf_icon

BUX20

isc Silicon NPN Power Transistor BUX20A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 125V(Min) CEO(SUS) High Current Capability Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching and linear applications in military and industrial equipment. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы: BUX16C, BUX17, BUX17A, BUX17B, BUX17C, BUX18, BUX18B, BUX18C, BC549, BUX20A, BUX21, BUX22, BUX23, BUX24, BUX25, BUX25-TO258, BUX26