Справочник транзисторов. BUX41

 

Биполярный транзистор BUX41 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUX41
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BUX41 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  comset
bux41.pdfpdf_icon

BUX41

NPN BUX41 HIGH CURRENT, HIGH SPEED, HIGH POWER HIGH CURRENT, HIGH SPEED, HIGH POWER TRANSISTORTRANSISTORThe BUX41 is silicon multiepitaxial planar NPN transistor in Jedec TO-3. They are intended for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value UnitVCEO Collector-Emitter Voltag

 ..2. Size:205K  inchange semiconductor
bux41.pdfpdf_icon

BUX41

isc Silicon NPN Power Transistor BUX41DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V(Min)CEO(SUS)High Current CapabilityGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed, high current, high powerapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

 0.1. Size:122K  motorola
bux41rev.pdfpdf_icon

BUX41

Order this documentMOTOROLAby BUX41/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUX41SWITCHMODE Series15 AMPERESNPN Silicon Power TransistorNPN SILICONPOWER. . . designed for high speed, high current, high power applications.METAL TRANSISTOR Very fast switching times: 200 VOLTSTF max. = 0.4 s at IC = 8 A 120 WATTS

 0.2. Size:206K  inchange semiconductor
bux41n.pdfpdf_icon

BUX41

isc Silicon NPN Power Transistor BUX41NDESCRIPTION Collector-Emitter Voltage-: V = 160V(Min)CEOHigh Current CapabilityGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed, high current, high powerapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие транзисторы... BUX348PF , BUX35 , BUX36 , BUX37 , BUX38 , BUX39 , BUX40 , BUX40A , BD140 , BUX41A , BUX41B , BUX41N , BUX42 , BUX42A , BUX43 , BUX44 , BUX45 .

History: HD1530JL | BUX67A | CMST2907A | BD516-5 | KTC4347 | UMB6N | BD242D

 

 
Back to Top

 


 
.