BUX47A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUX47A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BUX47A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUX47A даташит
bux47 bux47a buv47 buv47a bux47 bux47a buv47fi buv47afi.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By I
bux47a.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUX47A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V (Min) CEO(SUS) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage
bux47afi.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUX47AFI DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V (Min) CEO(SUS) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage
bux47smd.pdf
BUX47SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 400V IC = 9A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (0
Другие транзисторы: BUX42A, BUX43, BUX44, BUX45, BUX46, BUX46A, BUX46B, BUX47, A1941, BUX47B, BUX48, BUX48A, BUX48B, BUX48C, BUX49, BUX49S, BUX50
History: BCX56-16Q
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924


