BUX51N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX51N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BUX51N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX51N даташит

 9.1. Size:10K  semelab
 bux51smd.pdf pdf_icon

BUX51N

BUX51SMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 200V IC = 3.5A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26

 9.2. Size:10K  semelab
 bux51smd05.pdf pdf_icon

BUX51N

BUX51SMD05 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 200V IC = 3.5A 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) All Semelab he

Другие транзисторы: BUX48B, BUX48C, BUX49, BUX49S, BUX50, BUX50C, BUX50X, BUX51, MJE340, BUX51X, BUX52, BUX53, BUX54, BUX548PF, BUX55, BUX56, BUX57