BUX84F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUX84F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO220F
Аналоги (замена) для BUX84F
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUX84F даташит
bux84f 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUX84F; BUX85F Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification Supersedes data of February 1996 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUX84F; BUX85F DESCRIPTION PINNING High-voltage, high-speed, PIN DESCRIPTION glass-passivated NPN power 2 1
bux84f.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUX84F DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage,high-speed,power switching regulators,converters,inverters,motor control system. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25
bux84f bux85f.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUX84F BUX85F DESCRIPTION With TO-220Fa package High voltage ,high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor controls systems PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol 3 Emitter Absolut maximum ratings (Ta=2
bux84s 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification NPN high voltage BUX84S Power transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Fast switching VCESM = 800 V c Excellent thermal stability High thermal cycling performance VCEO = 400 V Low thermal resistance b Surface mounting package IC = 2 A VCE(SAT) 1 V (IC = 1 A) e tf = 0.4 s (typ) GENERAL DESCRIPTION PINN
Другие транзисторы: BUX82-4, BUX82-5, BUX82-6, BUX82-7, BUX83, BUX83-9, BUX84, BUX84-6, B647, BUX85, BUX85F, BUX86, BUX86-4, BUX86-5, BUX86-6, BUX86-7, BUX86P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta





