BUX84F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX84F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BUX84F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX84F даташит

 ..1. Size:66K  philips
bux84f 1.pdfpdf_icon

BUX84F

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BUX84F; BUX85F Silicon diffused power transistors 1997 Aug 14 Product specification Supersedes data of February 1996 File under Discrete Semiconductors, SC06 Philips Semiconductors Product specification Silicon diffused power transistors BUX84F; BUX85F DESCRIPTION PINNING High-voltage, high-speed, PIN DESCRIPTION glass-passivated NPN power 2 1

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
bux84f.pdfpdf_icon

BUX84F

isc Silicon NPN Power Transistor BUX84F DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high-voltage,high-speed,power switching regulators,converters,inverters,motor control system. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25

 ..3. Size:119K  inchange semiconductor
bux84f bux85f.pdfpdf_icon

BUX84F

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUX84F BUX85F DESCRIPTION With TO-220Fa package High voltage ,high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor controls systems PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol 3 Emitter Absolut maximum ratings (Ta=2

 9.1. Size:25K  philips
bux84s 1.pdfpdf_icon

BUX84F

Philips Semiconductors Product specification NPN high voltage BUX84S Power transistor FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Fast switching VCESM = 800 V c Excellent thermal stability High thermal cycling performance VCEO = 400 V Low thermal resistance b Surface mounting package IC = 2 A VCE(SAT) 1 V (IC = 1 A) e tf = 0.4 s (typ) GENERAL DESCRIPTION PINN

Другие транзисторы: BUX82-4, BUX82-5, BUX82-6, BUX82-7, BUX83, BUX83-9, BUX84, BUX84-6, B647, BUX85, BUX85F, BUX86, BUX86-4, BUX86-5, BUX86-6, BUX86-7, BUX86P